碳化硅SiC外延工艺负责人

1、材料科学、微电子、物理、化学工程等相关专业硕士及以上学历；

2、8年以上半导体外延工艺开发与量产经验，其中至少5年专注于SiC（碳化硅）外延领域；

3、具备6英寸SiC外延从开发到量产的完整成功经验。拥有8英寸经验者优先；

4、具有领导良率提升专项并取得显著成果（如缺陷密度降低30%以上，或良率提升10%以上）的已验证案例；

5、精通SiC外延生长机理、缺陷形成与控制（如三角形缺陷、胡萝卜缺陷、台阶聚集等）；

6、精通CVD外延设备（如Aixtron、LPE、Nuflare等品牌）的原理、操作与日常维护；

7、熟练掌握外延表征方法（如AFM， PL， Raman， 霍尔测试等）及其数据分析；

8、精通DOE、SPC、FMEA等工艺开发与质量控制工具。