EUV金属氧化物光刻胶部门负责人

<关于金属氧化物光刻胶>

- 我们的核心技术——光刻技术，通过光线穿过透镜时引发光刻胶的化学变化来形成“半导体电路图案”。迄今为止，用于在集成电路芯片上绘制超细线宽的短波长光源一直被用于此类光线的加工。但随着技术创新的进步，人们开始关注“微加工的极限”。在此背景下，一种以极紫外光（EUV）为光源的新技术应运而生。

金属氧化物光刻胶兼具“金属带来的高分辨率”和“减少缺陷”的优点，我们的产品拥有竞争产品所不具备的特性，因此深受客户好评。它们有望成为下一代光刻胶材料。

最高学历：研究生学位、学士或以上学位

<申请要求/条件>

■必备条件：

・1-3年半导体原材料供应商工作经验

・有机合成化学知识和技能

・工业合成、制造工艺分析和过程控制等生产技术经验